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LE SUPERFICI NANOSTRUTTURATE E DLF. (STUDI ISTOMORFOMETRICI)

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Category

Odontoiatra



Descrizione

Diversi studi istomorfometrici si sono concentrati sulla attitudine degli impianti con superficie nanostrutturata ossidata e anodizzata di condurre a  neoformazione ossea.
 In un lavoro sulla scimmia, con impianti posizionati in osso di scarsissima qualità (tipo IV) Huang et al. hanno dimostrato una percentuale di contatto osso-impianto soddisfacente a 4 mesi. In un lavoro sul cane, impianti con superficie anodizzata hanno dimostrato percentuali di contatto osso-impianto superiori a impianti rivestiti con calcio-fosfati. 
Tale dato è stato avalato solo in parte  da un studio istomorfometrico condotto successivamente sempre. sul cane, in cui diverse superfici nanostrutturate da minimamente (machined) a moderatamente (anodizzate; sabbiate  e acidificate) a fortemente (plasma spray) rugose sono state comparate. 
Dopo 8 settimane sotto carico, infatti, i risultati ottenuti con superfici moderatamente rugose, compresa quella anodizzata, non erano statisticamente superiori, nel loro complesso, a quelli ottenuti per le altre superfici.
 In un ulteriore studio istologico sul cane, una superficie ossidata e anodizzata ha confermato discreti risultati. I risultati di tutti questi studi istologici su modello animale sono stati sostanzialmente confermati da due lavori istologici e istomorfometrici su impianti rimossi da mandibola posteriore di uomo, in funzione da 5 a 9 mesi con differenti protocolli di carico.
Nonostante i pochi  impianti, il dato risultate da uno studio istomorfometrico era buono e stimolante, suggerendo anche in protocolli di carico immediato l’attitudine di tale impianto di incoraggiare la neoformazione ossea sulla propria superficie ossidata e anodizzata.
Infine, l’analisi microscopica dei campioni, dimostrava lo sviluppo osseo all’interno dei pori della superficie nanostrutturata, confermando, dunque,  un arduo meccanismo di interlocking meccanico garantito dalla innovativa  superficie tra impianto e osso.